Производитель: Goodram
Модель: GR1333S364L9/8G
EAN: 5908267903384
Модуль памяти Goodram GR1333S364L9\/8G - отличное решение для тех, кто ценит высокое качество работы своего ноутбука. Этот модуль обладает целым рядом функций, которые гарантируют надежную и бесперебойную работу устройства. Внутренняя память типа DDR3 и конфигурация модуля размером 512 Мб x 8 гарантируют плавность работы устройства. Время задержки CAS составляет 9, а тактовая частота памяти - 1333 МГц, что улучшает общую производительность ноутбука.
Модуль памяти оснащен внутренней памятью объемом 8 Гб, что позволяет легко переключаться между несколькими задачами одновременно. Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM позволяет устанавливать модуль легко и без лишних сложностей. Напряжение памяти составляет 1,5 В, что позволяет добиться стабильной работы устройства без каких-либо проблем.
Модуль памяти Goodram GR1333S364L9\/8G - это компонент, который точно понравится всем пользователям ноутбуков. Ширина модуля составляет 67,6 мм, что делает его очень удобным для переноски. Тип буферной памяти - небуферизованный (unbuffered), что значительно улучшает опыт работы с устройством.
Если вы ищете идеальное дополнение к своему ноутбуку, модуль памяти Goodram GR1333S364L9\/8G идеально подходит для этого. Его выдающиеся характеристики гарантируют высокое качество работы и плавное использование устройства.
Комментариев пока нет
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии
История цен
Свойства | |
Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
Оперативная память | 8 GB |
Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 8 GB |
Тип внутренней памяти | DDR3 |
Тактовая частота памяти | 1333 MHz |
Комплектующие для | Ноутбук |
Форм-фактор памяти | 204-pin SO-DIMM |
Error-correcting code (ECC) | |
Время задержки CAS | 9 |
Напряжение памяти | 1.5 V |
Конфигурация модуля | 512M x 8 |
Вес и размеры | |
Ширина | 67,6 mm |