Silicon Power 8GB DDR3L SO-DIMM модуль памяти 1 x 8 GB 1600 MHz

Производитель: Silicon Power

Модель: SP008GLSTU160N02

EAN: 0886576010205

Модуль памяти Silicon Power 8GB DDR3L SO-DIMM - идеальное решение для тех, кто ищет высокопроизводительную и надежную оперативную память для своего ноутбука. Благодаря тактовой частоте памяти 1600 МГц и времени задержки CAS 11, этот модуль памяти обеспечивает безупречную работу при выполнении различных задач, не снижая скорость работы устройства. Форм-фактор 204-pin SO-DIMM делает его совместимым с большинством моделей ноутбуков. Емкость в 8 ГБ позволяет обрабатывать большой объем данных и запускать несколько программ одновременно. Модуль памяти не имеет буфера ECC и работает на напряжении 1,35 В, что обеспечивает стабильную производительность и низкий уровень энергопотребления. Производительность и надежность являются сильными сторонами бренда Silicon Power, так что вы можете быть уверены, что этот модуль памяти будет служить долго и надежно, удовлетворяя вашим потребностям. Если вы ищете доступное и простое решение для улучшения памяти вашего ноутбука, модуль памяти Silicon Power 8GB DDR3L SO-DIMM - отличный выбор для вас.


Список предложений от торговцев (2 шт.), по цене начиная от €12.37

Магазин Название Цена
intop.lt

intop.lt

Silicon Power 8GB DDR3L SO-DIMM модуль памяти 1 x 8 GB 1600 MHz €12.37
intop.lt

intop.lt

Silicon Power 8GB DDR3L SO-DIMM модуль памяти 1 x 8 GB 1600 MHz €12.40
www.toppc.lt

www.toppc.lt

Silicon Power SODIMM, 8GB, DDR3L, 1600MHz, CL11, Single Stick €16.14

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 8 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB
Тип внутренней памяти DDR3L
Тактовая частота памяти 1600 MHz
Комплектующие для Ноутбук
Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM
Error-correcting code (ECC)
Время задержки CAS 11
Напряжение памяти 1.35 V
Конфигурация модуля 512M x 8
Логистические данные
Код гармонизированной системы описания (HS) 84733020