Samsung M378A4G43AB2-CWE модуль памяти 32 GB 1 x 32 GB DDR4 3200 MHz

Производитель: Samsung

Модель: M378A4G43AB2-CWE

EAN: 5715063004234

Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE - это высокопроизводительный модуль DDR4, предназначенный для использования в ПК. С огромным объемом внутренней памяти в 32 ГБ, этот модуль идеально подходит для запуска памятью-интенсивных приложений и задач.

Модуль имеет тактовую частоту 3200 МГц, позволяющую быстро получать доступ к хранимым данным и использовать их, что делает его идеальным для игр, видеомонтажа и других ресурсоемких задач. Он также имеет CAS-задержку 22, обеспечивающую быструю передачу данных и надежную производительность.

У этого модуля памяти напряжение 1,2 В, что делает его эффективным и экологически чистым. Он имеет форм-фактор DIMM с 288 контактами и предназначен для использования в ПК. Он также поддерживает незарегистрированную (небуферизованную) память, обеспечивая совместимость с широким спектром систем.

Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE имеет конфигурацию модуля 2048М x 8, а двухрядная структура делает его более надежным и отзывчивым по сравнению с однорядными модулями памяти. Он не поддерживает ECC, что делает его более экономичным по сравнению с модулями памяти на основе ECC.

В целом, модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE - отличный выбор для всех, кто ищет высококачественную производительность памяти DDR4, независимо от того, для личного или профессионального использования.


Список предложений от торговцев (2 шт.), по цене начиная от €94.90

Магазин Название Цена

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 32 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 32 GB
Тип внутренней памяти DDR4
Тактовая частота памяти 3200 MHz
Комплектующие для ПК
Форм-фактор памяти 288-pin DIMM
Error-correcting code (ECC)
Время задержки CAS 22
Напряжение памяти 1.2 V
Конфигурация модуля 2048M x 8
Прочие свойства
Организация чипов 2Rx8