Goodram W-MEM2666E4S88G модуль памяти 8 GB 1 x 8 GB DDR4 2666 MHz Error-correcting code (ECC)

Производитель: Goodram

Модель: W-MEM2666E4S88G

EAN: 5908267941898

Модуль памяти Goodram W-MEM2666E4S88G обеспечивает быстрое и плавное выполнение многозадачных операций благодаря емкости 8 ГБ и частоте 2666 МГц. Он идеально подходит для работы с требовательными приложениями и нагрузками. Благодаря поддержке ECC модуль обнаруживает и исправляет ошибки в реальном времени, обеспечивая целостность данных и стабильность системы. Конфигурация модуля составляет 1024M x 72, задержка CAS - 19. Форм-фактор 288-pin DIMM обеспечивает легкую установку и совместимость с различными системами. Напряжение памяти составляет 1,2 В, что делает ее энергоэффективной и снижает энергопотребление. Рейтинг памяти равен 1, что обеспечивает оптимальную производительность и надежность. Модуль памяти предназначен для использования в ПК/серверах и имеет внутреннюю память 8 ГБ с конфигурацией модулей 1 x 8 ГБ. Тип буферной памяти - unregistered (unbuffered). Скорость передачи данных - 2666 MT/s. Диапазон рабочих температур составляет от 0 до 85 градусов Цельсия, а диапазон температур при хранении - от -40 до 100 градусов Цельсия, что делает модуль памяти удобным для использования в различных условиях. Обновите оперативную память вашей системы с помощью модуля памяти Goodram W-MEM2666E4S88G и получите улучшенную производительность, стабильность и надежность для ваших приложений и нагрузок.


Список предложений от торговцев (2 шт.), по цене начиная от €29.51

Магазин Название Цена

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 8 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB
Тип внутренней памяти DDR4
Тактовая частота памяти 2666 MHz
Комплектующие для ПК/сервер
Форм-фактор памяти 288-pin DIMM
Error-correcting code (ECC)
On-Die ECC
Время задержки CAS 19
Рейтинг памяти 1
Напряжение памяти 1.2 V
Конфигурация модуля 1024M x 72
Условия эксплуатации
Диапазон температур при эксплуатации 0 - 85 °C
Диапазон температур при хранении -40 - 100 °C
Прочие свойства
скорость передачи данных 2666 MT/s