Производитель: Goodram
Модель: GR2666S464L19S/4G
EAN: 5908267940983
Модуль памяти Goodram GR2666S464L19S/4G с емкостью 4 ГБ и тактовой частотой 2666 МГц предназначен для использования в ноутбуках. Он поддерживает технологию DDR4 и имеет конфигурацию 1 x 4 ГБ, что обеспечивает ему эффективную и надежную производительность. Форм-фактор 260-pin SO-DIMM делает его совместимым с множеством марок и моделей ноутбуков. При наличии задержки CAS 19 и напряжении питания памяти 1,2 В данная память является отличным выбором для многозадачных и памятью-интенсивных приложений. Этот модуль не использует буферизацию и не имеет кода корректировки ошибок (ECC), а его конфигурация модуля составляет 512M x 8. Пакет поставки включает в себя модуль памяти Goodram GR2666S464L19S/4G в блистерной упаковке. Код гармонизированной системы описания (HS) для логистических целей составляет 84733020.
Магазин | Название | Цена |
---|---|---|
www.pc21.fr |
Goodram GR2666S464L19S/4G модуль памяти 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz | €10.62 |
Комментариев пока нет
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии
История цен
Свойства | |
Тип буферной памяти | Unregistered (unbuffered) |
Оперативная память | 4 GB |
Конфигурация памяти (модули х емкость) | 1 x 4 GB |
Тип внутренней памяти | DDR4 |
Тактовая частота памяти | 2666 MHz |
Комплектующие для | Ноутбук |
Форм-фактор памяти | 260-pin SO-DIMM |
Error-correcting code (ECC) | |
Время задержки CAS | 19 |
Каналы памяти | Single-channel |
Напряжение памяти | 1.2 V |
Конфигурация модуля | 512M x 8 |
Логистические данные | |
Код гармонизированной системы описания (HS) | 84733020 |
Данные об упаковке | |
Тип упаковки | Блистер |