Goodram GR2666S464L19S/4G модуль памяти 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

Производитель: Goodram

Модель: GR2666S464L19S/4G

EAN: 5908267940983

Модуль памяти Goodram GR2666S464L19S/4G с емкостью 4 ГБ и тактовой частотой 2666 МГц предназначен для использования в ноутбуках. Он поддерживает технологию DDR4 и имеет конфигурацию 1 x 4 ГБ, что обеспечивает ему эффективную и надежную производительность. Форм-фактор 260-pin SO-DIMM делает его совместимым с множеством марок и моделей ноутбуков. При наличии задержки CAS 19 и напряжении питания памяти 1,2 В данная память является отличным выбором для многозадачных и памятью-интенсивных приложений. Этот модуль не использует буферизацию и не имеет кода корректировки ошибок (ECC), а его конфигурация модуля составляет 512M x 8. Пакет поставки включает в себя модуль памяти Goodram GR2666S464L19S/4G в блистерной упаковке. Код гармонизированной системы описания (HS) для логистических целей составляет 84733020.


Список предложений от торговцев (3 шт.), по цене начиная от €14.30

Магазин Название Цена

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 4 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 4 GB
Тип внутренней памяти DDR4
Тактовая частота памяти 2666 MHz
Комплектующие для Ноутбук
Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM
Error-correcting code (ECC)
Время задержки CAS 19
Каналы памяти Single-channel
Напряжение памяти 1.2 V
Конфигурация модуля 512M x 8
Логистические данные
Код гармонизированной системы описания (HS) 84733020
Данные об упаковке
Тип упаковки Блистер