Goodram GR2666S464L19/16G модуль памяти 16 GB 1 x 16 GB DDR4 2666 MHz

Производитель: Goodram

Модель: GR2666S464L19/16G

EAN: 5715063167854

Модуль памяти Goodram GR2666S464L19 / 16G - отличный выбор для увеличения объема оперативной памяти ноутбука. Этот модуль DDR4 имеет емкость 16 ГБ и тактовую частоту 2666 МГц, обеспечивая высокую скорость работы и надежность. Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM и конфигурация 1 x 16 ГБ делают установку очень простой. Время задержки CAS составляет 19, что гарантирует эффективную и быструю передачу данных. Модуль не имеет кода ECC и буферизации, что делает его идеальным для повседневного использования.

Компактный дизайн памяти GR2666S464L19 / 16G облегчает установку в ваш ноутбук. Благодаря типу упаковки - блистер, модуль хорошо защищен от физических повреждений во время доставки. Модуль работает на низком напряжении 1,2 В, что обеспечивает низкий уровень энергопотребления и снижает нагрев. Компоновка памяти 1024M x 8 означает наличие восемь чипов памяти по 1 ГБ, расположенных в одном ранге. Модуль GR2666S464L19 / 16G идеально подходит для пользователей, которые требуют высокой производительности своих ноутбуков, не жертвуя при этом энергоэффективностью, надежностью и долговечностью.


Список предложений от торговцев (2 шт.), по цене начиная от €39.90

Магазин Название Цена
www.pure-gaming.fr

www.pure-gaming.fr

Goodram GR2666S464L19/16G module de mémoire 16 Go 1 x 16 Go DDR4 2666 MHz €39.90
www.pc21.fr

www.pc21.fr

Goodram GR2666S464L19/16G модуль памяти 16 GB 1 x 16 GB DDR4 2666 MHz €65.61

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 16 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB
Тип внутренней памяти DDR4
Тактовая частота памяти 2666 MHz
Комплектующие для Ноутбук
Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM
Error-correcting code (ECC) Нет
Время задержки CAS 19
Напряжение памяти 1.2 V
Конфигурация модуля 1024M x 8
Вес и размеры
Ширина 67,6 mm
Логистические данные
Код гармонизированной системы описания (HS) 84733020
Данные об упаковке
Тип упаковки Блистер