Goodram GR1600S3V64L11/8G модуль памяти 8 GB 1 x 8 GB DDR3 1600 MHz

Производитель: Goodram

Модель: GR1600S3V64L11/8G

EAN: 5908267903476

Модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G - это надежное и эффективное решение для повышения производительности вашего ноутбука. Он может работать с несколькими приложениями одновременно, обеспечивая плавное и беззадержное выполнение задач, благодаря 8 ГБ встроенной памяти.

Модуль памяти имеет технологию DDR3, позволяющую достигать высоких скоростей передачи данных на частоте памяти 1600 МГц. Конфигурация модуля составляет 1 x 8 ГБ с временем задержки CAS 11 и напряжением памяти 1,35 В. Это не зарегистрированный модуль памяти, который оптимизирует производительность и общую эффективность.

Goodram GR1600S3V64L11/8G - это точный компонент для ноутбуков с форм-фактором памяти 204-pin SO-DIMM. Кроме того, этот модуль обеспечивает низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для ноутбуков, работающих от батареи.

Ширина модуля составляет 67,6 мм, что обеспечивает легкую и простую установку в ноутбук. Goodram GR1600S3V64L11/8G весит всего 0,02 кг и относится к категории "Модули памяти" с кодом гармонизированной системы описания (HS) 84733020.

В целом, модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G - отличный способ повысить производительность и производительность вашего ноутбука. Его эффективная и надежная работа обеспечивает плавное и быстрое выполнение задач, что делает его ценным дополнением для вашего устройства.


Список предложений от торговцев (1 шт.), по цене начиная от €32.60

Магазин Название Цена

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Свойства
Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered)
Оперативная память 8 GB
Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB
Тип внутренней памяти DDR3
Тактовая частота памяти 1600 MHz
Комплектующие для Ноутбук
Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM
Error-correcting code (ECC)
Время задержки CAS 11
Напряжение памяти 1.35 V
Конфигурация модуля 512M x 8
Вес и размеры
Ширина 67,6 mm
Логистические данные
Код гармонизированной системы описания (HS) 84733020