Samsung PRO Plus 256 GB SDXC UHS-I Класс 10

Производитель: Samsung

Модель: MB-SD256H/EU

EAN: 8806090482113

Samsung PRO Plus. Емкость: 256 GB, Тип флэш-карты: SDXC, Класс флэш-памяти: Класс 10, Тип внутренней памяти: UHS-I, Скорость считывания: 100 MB/s, Скорость записи: 90 MB/s, Класс скорости UHS: Class 3 (U3). Защитные возможности: Холодостойкий, Теплоустойчивый, Антимагнитный,...


Список предложений от торговцев (1 шт.), по цене начиная от €56.67

Магазин Название Цена
direkt.jacob.de

direkt.jacob.de

Samsung PRO Plus. Kapazität: 256 GB, Flash Card Typ: SDXC, Flash-Memory-Klasse: Klasse 10, Interner Speichertyp: UHS-I, Lesegeschwindigkeit: 100 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 90 MB/s, UHS Speed Klasse: Class 3 (U3). Schutzfunktion: Kältebeständig, Hitzebeständig, Magnetsicher, Splitterfrei, Wasserdicht, Röntgensicher (MB-SD256H/EU) €56.67
direkt.jacob.de

direkt.jacob.de

Samsung PRO Plus. Kapazität: 256 GB, Flash Card Typ: SDXC, Flash-Memory-Klasse: Klasse 10, Interner Speichertyp: UHS-I, Lesegeschwindigkeit: 100 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 90 MB/s, UHS Speed Klasse: Class 3 (U3). Schutzfunktion: Kältebeständig, Hitzebeständig, Magnetsicher, Splitterfrei, Wasserdicht, Röntgensicher (MB-SD256H/EU) €62.71

Отзывы о товаре от наших пользователей

Комментариев пока нет

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии


История цен

Loading chart...

Информация о продукте

Память
Емкость 256 GB
Тип флэш-карты SDXC
Класс флэш-памяти Класс 10
Скорость считывания 100 MB/s
Скорость записи 90 MB/s
Класс скорости UHS Class 3 (U3)
Тип внутренней памяти UHS-I
Свойства
Защитные возможности Холодостойкий, Теплоустойчивый, Антимагнитный, Ударопрочный, Водонепроницаемый, Защита от рентгеновского излучения
Сертификация FCC, CE, VCCI, RCM
Условия эксплуатации
Диапазон температур при эксплуатации -25 - 85 °C
Диапазон температур при хранении -40 - 85 °C
Вес и размеры
Ширина 32 mm
Глубина 2,1 mm
Высота 24 mm
Вес 1,75 g
Логистические данные
Код гармонизированной системы описания (HS) 85235190
Энергопитание
Напряжение памяти 2.7,2.8,3.3,3.6 V